📉美国限制措施使中国长鑫存储受阻，低良率制约DRAM增长 📈1、产能现

📉美国限制措施使中国长鑫存储受阻，低良率制约 DRAM 增长 📈1、产能现状与扩张受限 🚀作为中国存储器布局领军企业的长鑫存储科技（CXMT），其 DRAM 产能据称已在去年第四季度达到峰值并触及天花板。 ⚠️在美国预计将收紧出口管制、中国政府全力推动半导体设备国产化的背景下，业界普遍认为，受先进半导体设备限制影响，新增产能扩张将受到制约。 📊根据市场研究机构 Omdia 的数据（ChosunBiz 于 12 日获取），CXMT 的月均晶圆（半导体基板）产量已达到约24 万片的最高水平。 ⏳业内核心人士表示，在自 2024 年以来持续扩张产能之后，CXMT 预计今年全年将处于低迷状态。 📊据估算，CXMT 目前的 D-RAM 产能约为行业第二名 SK 海力士的一半，略高于三星电子的三分之一。 📊按年计算，去年三星电子的 D-RAM 产能约为760 万片晶圆，SK 海力士为597 万片，美光为360 万片。 📈CXMT 去年将晶圆产量较上一年翻了一番以扩大规模，但其扩张步伐预计将从今年开始放缓。 💡2、港股投资价值解析 🔍LS 证券分析师车永浩表示：“CXMT 的产能扩张正受到美国出口管制收紧的制约。中国对此已有所认识，第三期投资基金正集中投向半导体设备领域。” 🔮他还补充道：“如果中国明年成功实现设备国产化，CXMT 有望自 2027 年起恢复扩张，包括其上海新工厂在内。” ⚠️3、生产良率成为掣肘 ❌然而，CXMT 的 D-RAM 生产良率成为其发展的掣肘。 📉尽管通过激进的设施投资不断扩大产能规模，但据称其实际产出并未达到预期。 🔍原因在于低良率导致已安装产能与实际产量之间出现差距。虽然名义晶圆产能较高，但由于产品缺陷等因素，实际出货占比可能更低。 📊根据市场研究机构 Counterpoint Research 的数据，截至 2024 年，CXMT 主力的 1x（第一代 10 纳米级）D-RAM 制程，其生产良率较三星电子、SK 海力士等三大存储厂商的 1a（第四代 10 纳米级）制程低 42%。 📌对于三星电子和 SK 海力士而言，1a 制程已被归类为成熟节点，而 CXMT 仍徘徊在约 **50%** 的良率水平。 🚫4、额外限制与挑战 ⚠️也有观点认为，由于美国政府预计将收紧对中国半导体设备企业的限制，增长可能会受到阻碍。 📰上个月，路透社报道称有观点认为，由于美国政府预计将收紧对中国半导体设备企业的限制，增长可能会受到阻碍。上个月，路透社报道称，美国共和党和民主党议员提出了一项法案，禁止获得《芯片法案》补贴的企业在未来 10 年内购买中国制造的设备。 🔍一位半导体行业人士表示：“与 NAND 闪存不同，在 D-RAM 领域，由于设计和工艺的复杂性，CXMT 要采用可与三星电子或 SK 海力士相媲美的先进制程，将需要相当长的时间。” ⚠️他还补充道：“当进入 1a 纳米级的早期阶段时，对极紫外（EUV）光刻机等先进设备的需求会增加，但由于美国的管制，获取这类关键设备十分困难。”