比芯片断供更可怕!中国物理博士尹志尧公开指出:“在半导体领域我们和欧美国家的差距

蕊蕊聊过去 2025-11-26 16:45:57

比芯片断供更可怕!中国物理博士尹志尧公开指出:“在半导体领域我们和欧美国家的差距,虽然至少是三代的技术,但这样的劣势只需要花 5-10 年的时间来挽回。” 而他如此自信的原因也在于 “人才” 上,他表示:“中国人足够优秀,美国巨头公司的技术骨干、芯片专家基本上都是华人!” 芯片断供像把刀架在脖子上,痛得让人喘不过气,可尹志尧博士一句话点醒梦中人:这事儿远没那么致命,真正要命的是人才流失。硅谷那些巨头,核心技术多半靠华人撑着,他60岁回国创业,带队攻克三代差距,5-10年就能追上。悬念来了:华人专家真能逆转局面,让中国芯重回世界前列?   2022年那阵子,国内生产线直接卡壳,好多企业眼巴巴盯着进口货,却只能干等。全球芯片市场,中国吃掉近四成份额,可先进制程上,我们还落后两三代,3纳米、5纳米人家早量产了,我们还在14纳米打转。这不光是设备问题,更是产业链的软肋。   尹志尧博士的话,扎心得像根刺。他在杨澜访谈录里直言,半导体差距至少三代,但凭人才,5-10年就能扳回来。为啥这么自信?就冲华人工程师在美国那股子劲头。英特尔架构部门,华人占四成多;台积电研发,八成是华人带队。这些人脑子活、手艺硬,从硅谷实验室里搞出7纳米封装、5纳米三极管结构,胡正明教授那套三极管设计,早年就奠基了如今的尖端工艺。 美国芯片巨头表面风光,骨子里离不开华人骨干。尹博士自己就是活例子,1944年生,北京人,中国科大本科、北大硕士,美加州大学洛杉矶分校物理化学博士。1984年进英特尔,当工艺工程师;后来跳槽泛林半导体,升研发经理;1991年到应用材料,干到副总裁,等离子体刻蚀事业群总经理。硅谷20年,他领衔几代刻蚀机研发,攒下86项美国专利、200多项国际授权,全球一半刻蚀设备都有他的影子。 2004年,60岁的尹志尧扔下百万年薪,响应国家号召,回上海创办中微半导体。起初就15个硅谷老同事,启动资金5000万加自筹150万美金。公司起步难,专注高能等离子刻蚀机CCP,前十年就这一个产品。2007年,第一台介质刻蚀机出炉,打破国外垄断。应用材料一看不对劲,告中微窃取技术,两年半官司打下来,中微反诉成功,和解共享部分专利,却也练就了本土知识产权铁板一块。   中微没停步,后十年加码低能ICP刻蚀机和金属有机化学气相沉积设备。最近几年,化学薄膜设备、EPI外延片全线发力。2025年上半年,研发砸14.92亿,同比涨53.7%,占营收三成多,远超科创板平均水平。新品六款齐发,覆盖等离子刻蚀、原子层沉积,Primo Menova 12寸ICP金属刻蚀机6月首台交付客户认证。累计装机超6800台反应台,覆盖国内95%刻蚀需求,台积电、三星、SK海力士、中芯国际、长江存储全用上。 尹博士强调,华人天生适合这行,数理化底子厚,耐心足,吃苦耐劳。在美国,华人从组长干到领头羊,贡献大到没法说。可国内呢?人才缺口2025年预计30万,上海独吞10万。高校毕业生5.8万,能上手先进制程的不足5%,顶尖博士15%留美不回。这差距不补,断供随时卷土重来。   国家看在眼里,急在心上。“十四五”规划砸重金,集成电路基金三期3440亿。上海给高端人才50万奖励,广州150万,深圳500万补贴。税收优惠、落户绿灯全开,清华北大新设集成电路一级学科,招生涨30%。中微、华为、中芯国际搞“天才少年”计划,年薪对标硅谷,最高200万。产学研联手,学生毕业直奔生产线。 尹志尧2025年4月正式恢复中国国籍,这步棋下得响亮。1月,他获2024中国经济新闻人物奖,表彰中微在5纳米刻蚀、Mini LED 金属有机化学气相沉积全球领先。3月,他说核心零部件国产化率超90%,三季度末100%自主可控。9月CSEAC展上,他推六款新设备,研发周期从3-5年缩到2年,市场覆盖从30%冲60%。 这不光是中微一家的事儿。龙芯自搞龙架构,不靠国外授权;中芯国际、华虹28纳米产能占全球五分之一,汽车电子、功率器件全靠它顶着。Chiplet先进封装,我们30多岁华人团队领风骚,性能不输高端单片。DUV多重曝光技术,2023年上线7纳米试产,绕过EUV封锁。   美国那边慌了,H-1B签证加到10万美金门槛,想留人;英伟达新芯片推迟,就因华人设计师走人,散热技术卡壳。可留不住,海归潮汹涌。尹博士说,产业链协同最重要,几千道工序,缺一环全崩。全球本该互依,可封锁逼我们自立自强。

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