正好周末长鑫发了最新的ddr5,这玩意已经满足hbm3-hbm3e的晶圆供应,咱们来算笔帐最新的1a-1b制程的ddr5是需要EUV的,没有的话就只能用duv多重曝光,假设良率下降到80%。一片标准HBM3(8层堆叠)需要消耗约3片1a制程DDR5晶圆,由于良率问题,咱们可能需要消耗3.5片。假设咱们Hbm达到美光目标的6w 月产能,在hbm3和hbm3e的情况下,分别需要消耗21万片/月和24万/月的dram产能,根据目前公开资料,长鑫总产能目前应该不超过30w,hbm主要是先进封装,盖的比dram快,所以知道为啥我预测明年会更缺了吧[辣眼睛]达到三大厂产能最低的美光水平都会导致国内内存供应会以惊人的数量减少正好周末长鑫发了最新的ddr5,这玩意已经满足hbm3-hbm3e的晶圆供应,咱们来算笔帐最新的1a-1b制程的ddr5是需要EUV的,没有的话就只能用duv多重曝光,假设良率下降到80%。一片标准HBM3(8层堆叠)需要消耗约3片1a制程DDR5晶圆,由于良率问题,咱们可能需要消耗3.5片。假设咱们Hbm达到美光目标的6w 月产能,在hbm3和hbm3e的情况下,分别需要消耗21万片/月和24万/月的dram产能,根据目前公开资料,长鑫总产能目前应该不超过30w,hbm主要是先进封装,盖的比dram快,所以知道为啥我预测明年会更缺了吧~达到三大厂产能最低的美光水平都会导致国内内存供应会以惊人的数量减少
我看这次mate80搭载的9030芯片,是DUV光刻机的N+3工艺(N是指14纳
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