我看这次mate80搭载的9030芯片，是DUV光刻机的N+3工艺（N是指14纳米），工艺制程约6纳米（5.6多些，约6），对外宣传是7纳米。实际等效于台积电的早期5纳米或三星的早期4纳米，这已经是极限压榨了DUV光刻机的性能。这虽然没有国产EUV光刻机生产振奋人心，但也很了不起了，大大拉近了与苹果高通三星顶级芯片的距离，也算是当前国产芯片的顶峰了！
我看这次mate80搭载的9030芯片，是DUV光刻机的N+3工艺（N是指14纳
侠女论商业
2025-11-23 07:53:14
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崔宇
意思是euv不突破，n+3已经是极限了？
佛山小逗比 回复 11-23 12:07
就是
三国靓仔 回复 11-23 12:23
3纳米也没比5纳米好多少，毛病还多，n＋3都基本上够用了，何况光刻机制造还有更多的进步
只有猴子拿手机跑分
目前已经足够用了，未来还有很大的进步空间
用户10xxx58
都是用ASML的高端DUV光刻机搞得，套刻技术玩到极致的做法。
用户10xxx38
明年这时候5纳米芯片就量产了！
佛山小逗比 回复 11-23 12:07
哪里这么快
用户10xxx38 回复 佛山小逗比 11-23 12:22
拭目以待！
VCc
狗屁不通
不朽情缘
电子垃圾
nba1999
有博主是等效于台积电三nm，不知道是不是真的
刘东 回复 11-23 12:37
是IT之家的老板说的，晶体管密度大于台积电3nm的