【英特尔首次展示ZAM内存原型设计】据Wccftech报道，英特尔院士兼政府技术首席技术官Joshua Fryman与英特尔日本首席执行官大野诚共同出席了Intel Connection Japan 2026活动。值得关注的是，英特尔刚确认与SAIMEMORY的合作，便展示了ZAM原型设计，并介绍了新款内存未来的发展方向。按照英特尔的说法，在ZAM项目中将承担“初始投资和战略决策”的职责。ZAM的核心在于Z-Angle架构，有别于现有HBM硅通孔（TSV）的连接方式，其采用了交错互联拓扑结构，即在芯片堆叠内部以对角线方式进行连接，而非直接垂直钻孔。英特尔称，ZAM技术上相比现有解决方案最大的优势在于其热管理能力。 与HBM相比，ZAM可能的提升包括： ●功耗降低40%至50% ●通过Z-Angle架构简化制造流程 ●每芯片存储容量更高（可达512GB）
