困扰世界二十年难题,美欧专家攻克芯片散热难题久攻不下!西安电子科技大学团队太厉害了!郝跃院士团队研发的高能离子注入诱导成核技术,直接攻克了全球半导体界卡脖子20年的散热难题。原本多晶岛状的粘合层,被转化为原子级平整的单晶薄膜,使半导体界面热阻降至传统工艺的三分之一,氮化镓微波功率器件功率密度提升30%-40%。 以往芯片“发烧罢工”的问题,如今被彻底解决。这项技术应用广泛,能让雷达探测距离更远、通信基站信号更强且能耗更低,还能使新能源车续航提升5%-10%。从行业数据来看,氮化镓功率器件市场未来六年将增长六倍,到2030年规模达30亿美元,产业发展前景一片光明!
