昨日1.1亿元中标的国产光刻机具体是什么？首先看中标单位，上海微电子。这个就是以前的SMEE，一直是国产光刻机的唯一希望。但是，现在不是了，从SMEE分出三份了。一个是搞后端光刻机，用于封装的，叫“芯上微装”，应该上市。这个就是制程水平相对低的，但封装也是高科技，还有先进封装。制程水平高的都是用于前端的，晶体管制造。原来SMEE就是靠芯上微装的业务赚钱，在中国封装市场占有率超过60%，市场做得不错。等于把赚钱的业务拆出去上市。一个是前面出了新闻的，宇量昇，算是SMEE和南方科研力量一起冲击先进光刻机，做浸润式DUV光刻机，理论上多重曝光能做7nm。个人对这个寄望很高，希望可以在2028年实现国产光刻机量产28nm芯片，就可以宣布光刻机突围成功，斗争胜利了。这个是冲击先进DUV光刻机的，极为重要，能不能短中期搞定先进芯片就看它了。EUV光刻机路线图还不是太明确。再一个就是原来SMEE分了些剩下的，做90nm光刻机的研发力量，长期都是国产光刻机公开宣布的水平代表。应该就是这次中标的单位，光刻机就是做传统芯片的，28nm以下的，不涉及先进芯片。这机器应该是110nm分辨率，15nm套刻精度，应该是90nm光刻机的后续发展，应该做不了28nm芯片，但是传统芯片种类很多，如130nm的。而2024年公布的国产干式光刻机是65nm分辨率，8nm套刻精度，要更加先进，这个是冲击先进DUV光刻机的起点，应该分出去了。这次中标的意义是，国产前端光刻机应该在冲击产线应用了。目前产线实用，连续生产，良率达标是国产前端光刻机非常需要的经验，无论什么制程。如果采购形成批量了，即使是中低端的，都说明国产前端DUV光刻机知道如何体系化实用了。进展很好，前景一片光明，高中低端多路齐头并进！2028实现国产光刻机量产28nm芯片，目标坚定，走向胜利！
