重大喜讯!我国科研再获重大突破!杭州镓仁半导体公司成功制造出直径8英寸的氧化镓单晶,刷新世界纪录。这一成果可直接应用于六代机雷达,使雷达探测距离提升400公里。目前,我国现役最新型雷达核心采用的是第三代氮化镓单晶,其禁带宽度为3.4eV,性能远超美军使用的砷化镓单晶。而氧化镓单晶作为第四代材料,禁带宽度高达4.9eV。禁带宽度越高,雷达发射功率越强,对隐形目标的探测距离更远,抗干扰能力也更出色,即便像F22这样的隐形战机在它面前也将无处遁形。中国雷达持续领跑全球!

重大喜讯!我国科研再获重大突破!杭州镓仁半导体公司成功制造出直径8英寸的氧化镓单晶,刷新世界纪录。这一成果可直接应用于六代机雷达,使雷达探测距离提升400公里。目前,我国现役最新型雷达核心采用的是第三代氮化镓单晶,其禁带宽度为3.4eV,性能远超美军使用的砷化镓单晶。而氧化镓单晶作为第四代材料,禁带宽度高达4.9eV。禁带宽度越高,雷达发射功率越强,对隐形目标的探测距离更远,抗干扰能力也更出色,即便像F22这样的隐形战机在它面前也将无处遁形。中国雷达持续领跑全球!

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