天成半导体官微3月11日发布消息称，依托其自主研发的设备，成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30mm。这一突破不仅填补了国内相关领域的技术空白，更标志着我国碳化硅产业在大尺寸材料领域，正式从12英寸普及向14英寸破冰跨越。
此次14英寸产品主要应用于半导体制造设备的碳化硅部件，成功打破日韩欧企业在该领域的垄断格局，标志着国内企业在碳化硅大尺寸技术赛道上取得关键性突破，也为全球碳化硅半导体产业格局增添了新的变量。
成本是所有的晶圆制造最核心的环节，大尺寸碳化硅衬底能显著降低成本、提升良品率、适配高端器件，是第三代半导体产业规模化的关键。12英寸面积约为6英寸的4倍，芯片产出为6英寸的3.8~4.4倍，14英寸将进一步放大此效应。碳化硅主流厂商仍停留在6英寸阶段，8英寸正快速上量。不过，近期国内多家碳化硅企业宣布在大尺寸升级上取得突破，国产化的成本会开始快速下降，产业化的提高速度加速。
全球碳化硅知名企业沃孚半导体官微宣布，公司近日推出基于300mm碳化硅技术的新一代AI数据中心先进封装基础平台，为先进AI和高性能计算封装解决方案提供可规模化的基础材料。随着人工智能的工作负载快速增加，数据中心集成化正在将封装尺寸、功率密度和功能复杂性推向传统材料的极限之上，对封装尺寸、功率密度和集成复杂性的要求也在与日俱增。
碳化硅的全球战局，早已不是单纯的技术比拼，而是对未来产业话语权的豪赌。美国 Wolfspeed 用三十年时间把 SiC 芯片塞进特斯拉的逆变器，直接让电动车续航多跑100公里；日本三菱的8英寸晶圆工艺，把芯片良率从60%提到85%，相当于每片晶圆多赚3000美元；中国三安光电的6英寸产能刚满产，就接到了比亚迪、宁德时代的“催货单”。这不是偶然——Global Growth Insights 的数据显示，2025年全球碳化硅市场规模将达369.7亿美元，2035年突破1771亿美元，相当于十年翻5倍。
传统硅基芯片就像跑了十年的燃油车，再怎么改装也突破不了物理极限，耐温250℃、热导率150W/m·K，在高压高功率场景下就是容易被击穿损坏。而碳化硅耐温600℃，热导率490W/m·K，高压直流输电用 SiC 器件，输电损耗从15%降到5%，相当于每年多省出3个三峡电站的发电量。
碳化硅能把能量损耗砍半。新能源汽车续航提升10%-15%，5G基站能耗降低40%；光伏逆变器转换效率从96%提到99%。这些数字背后，是真金白银的成本下降，对车企来说，续航多100公里就能多卖2万元；对电网来说，损耗降1%就是每年千亿级的收益。
碳化硅凭借其独特的材料特性，碳化硅正逐步突破传统硅基半导体的性能瓶颈，成为新能源汽车、光伏储能、AI算力、高端工业等领域的关键核心材料。2024年全球碳化硅功率半导体器件市场为26亿美元，预计到2029年全球销售额有望达到136亿美元，年复合增长率预计为39.9%。
