我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束！半导体制造核心装备实现历史性突破 ——打破国外垄断，助力“双碳”与新质生产力发展 2026年1月17日，我国半导体产业迎来一项具有里程碑意义的突破：中核集团中国原子能科学研究院自主研制的首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平！这一成果不仅填补了国内技术空白，更标志着我国在高端芯片制造装备领域迈出了关键一步，为功率半导体自主可控和产业链安全注入强劲动能。 技术突破：从“卡脖子”到自主可控 离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造中不可或缺的“刚需”设备。然而，长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖进口，技术壁垒高、研发难度大，成为制约功率半导体等战略性产业升级的“卡脖子”难题。 中国原子能科学研究院依托核物理加速器领域数十年的深厚积累，以串列加速器技术为核心手段，攻克了高能离子注入技术难题，成功实现从底层原理到整机集成的全链路正向设计能力。此次研制的POWER-750H设备，其性能参数达到国际主流水平，彻底打破国外技术封锁，为我国功率半导体产业链自主可控提供了核心装备支撑。 战略意义：赋能“双碳”与新质生产力 此次突破不仅是技术上的胜利，更是核技术与半导体产业深度融合的典范。高能氢离子注入机可显著提升功率半导体器件的性能，推动新能源汽车、光伏逆变器、智能电网等领域的能效升级，直接服务于“双碳”目标实现。 此外，该成果的落地将加速我国功率半导体国产化进程，减少对进口设备的依赖，保障产业链安全。同时，通过技术溢出效应，有望带动国内半导体设备产业链整体升级，为培育新质生产力、推动高质量发展提供关键技术保障。 未来展望：从“跟跑”到“并跑” 此次成功出束，标志着我国在半导体制造装备领域正式进入国际第一梯队。未来，随着技术迭代和产业化应用，国产高能氢离子注入机将进一步优化性能、降低成本，助力我国在功率半导体、第三代半导体等赛道实现“弯道超车”。 正如行业专家所言：“这一突破不仅是中核集团的骄傲，更是中国科技自立自强的缩影。它证明，只要坚持自主创新，中国完全有能力在全球高端制造领域占据一席之地！” （本文综合自中核集团、科技日报等权威信源） 关注我们，获取更多科技前沿动态！ 引用来源： 我国芯片制造核心装备取得重要突破 - 新湖南 我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束-上海证券报 我国首台高能氢离子注入机成功出束 助推功率半导体自主可控_报告大厅
