我国攻克半导体材料世界难题 划重点,传统芯片“岛状”连接结构严重阻碍散热,是器件性能提升的关键瓶颈。西安电子科技大学团队首创“离子注入诱导成核”技术,实现了散热效率的突破性提升,新界面热阻仅为传统方式的三分之一。点赞~
中国芯片突然“换道”!绕开光刻机卡脖子,这波反杀太解气谁还在纠结EUV光刻机
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我国攻克半导体材料世界难题 划重点,传统芯片“岛状”连接结构严重阻碍散热,是器件性能提升的关键瓶颈。西安电子科技大学团队首创“离子注入诱导成核”技术,实现了散热效率的突破性提升,新界面热阻仅为传统方式的三分之一。点赞~
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