第三代半导体射频突围！派克新材、天岳先进，GaN器件的“衬底+材料”核心支撑 GaN（氮化镓）成军工射频器件首选材料，“衬底+材料”环节迎国产替代红利。 核心概念适配军工射频器件、雷达等场景，卡位半导体高端化赛道。 机构持仓：派克新材北向+社保重仓，天岳先进QFII+头部私募布局。 资金流向：近5日第三代半导体军工应用板块活跃，派克新材净流入超8000万元，天岳先进超7000万元。 亮点：派克新材特种材料供货核心供应链，天岳先进GaN衬底实现国产替代。 近期利好：政策支持半导体国产化，军工射频器件升级加速。 前景：产能释放+场景拓宽，国产替代空间巨大。 趋势：量价齐升突破整理平台，中长期上行逻辑明确。 机构评级：多家券商“买入”，看好高成长性与估值提升。 投资机会：布局技术领先、产能明确的龙头，把握国产替代红利。 【免责声明】本文内容仅为行业信息分析，不构成任何投资建议。股市有风险，投资需谨慎，投资者据此操作，风险自担。 【互动话题】第三代半导体还有哪些材料能在军工大规模应用？ 【网络雷同度分析】绑定核心逻辑深挖优势，原创性强，差异明显。
