中国突破摩尔定律！8英寸氮化镓3DIC芯片量产，AR眼镜显示技术领跑全球 当硅基芯片摩尔定律逼近极限，中国企业杀出新赛道！长三角国创中心支持的汉骅半导体，凭借第三代半导体氮化镓与3DIC异质集成技术，成功实现8英寸硅基GaN MicroLED外延及多层堆叠技术量产，为超摩尔时代写下中国答案。 氮化镓禁带宽度是硅的3倍，兼具高压、高频、高热导率优势。汉骅创新采用“化合物半导体+硅材料”混合集成方案，将氮化镓功能芯片与CMOS驱动芯片原子级堆叠，攻克晶格适配、热损耗等难题，其3.75μm工艺像素密度达1600 PPI，键合成品率超95%，满足车用级标准，2.5μm工艺明年将小规模量产，像素密度有望突破2560 PPI。 依托“超越摩尔GaN Plus”平台，产品已切入智能眼镜、AI电源管理、光通讯等赛道。当前全球智能眼镜销量翻倍增长，汉骅单色显示方案即将量产，全彩技术通过垂直堆叠使像素密度提升300%，破解传统方案瓶颈。此外，其阵列型芯片还可为AI服务器提供高效能源管理，打开多元应用空间。 这家企业的崛起离不开“拨投结合”创新机制。2017年江苏产研院与苏州工业园区出资支持，让团队守住技术话语权，历经7年攻关建成全国最大氮化镓材料生产基地，年产能30万片外延片、月产2000片8英寸芯片。 如今中国在宽禁带半导体领域已实现与国际并跑，该技术不仅推动AR微显示产业升级，更将为AI、光通讯等新兴领域提供核心支撑，彰显中国半导体产业从跟跑到领跑的硬核实力。
