光刻机没有一个国家可以做得到，美国都造不出，中国根本做不到！ 光刻机作为半导体制造的核心设备，其技术门槛之高，堪比在纳米尺度上雕琢精密电路。全球芯片产业高度依赖它来刻画晶圆上的图案，而高端极紫外EUV光刻机更是凤毛麟角，仅有荷兰ASML一家垄断市场。中国面临进口禁运后，自研之路迫在眉睫。2024年9月，中科大物理学教授朱士尧在采访中直言，这种设备连美国都无法独立完成，中国更不可能实现。他强调，光刻机涉及光学、机械、软件等多学科融合，单国之力难以为继。这一观点迅速传播，引发科技圈和公众的激烈争论。 朱士尧的言论并非空穴来风，他作为中国物理学领域的资深学者，曾在华为和中科大担任要职，对半导体技术有深入洞察。他指出，光刻机研发需全球供应链协作，美国虽领先，却也依赖国际伙伴。教授的表态基于技术现实：EUV光源的稳定性、镜头的精度等瓶颈，至今无人彻底破解。中国起步晚，基础薄弱，短期内追赶难度极大。 中国光刻机研发从2002年拉开序幕，当时上海微电子装备公司成立，标志着国家层面的系统布局。早期工作聚焦于基础技术消化，借鉴成熟的深紫外DUV工艺，避免一步登天。团队从光学系统入手，逐步构建国产原型机。这段历程反映出中国半导体产业的韧性：在外部压力下，转向内生动力。十年磨一剑的坚持，让从零起步的领域逐步站稳脚跟，避免了盲目跟风的陷阱。 到2016年，上海微电子推出90纳米干式光刻机，实现首次量产应用。这一节点标志着中国在成熟工艺上突破瓶颈，误差控制在预期范围内。后续，28纳米浸没式机型的研发提速，通过注入液体介质提升分辨率。2025年5月，首台28纳米浸没式设备交付，国产化率超过70%。能量密度提升40%，这让设备在实际生产中更高效，逐步取代部分进口依赖。 2025年9月，中芯国际启动国产DUV光刻机测试，由上海初创企业宇量昇提供设备。这次验证聚焦浸没式技术，晶圆曝光良率稳步上升。测试数据表明，设备在90纳米以下节点表现稳定，标志着中国芯片制造向自主可控迈进。中芯国际作为全球第三大晶圆厂，此举直接拉动产业链升级，预计年底实现28纳米产线导入。 EUV方向的进展同样引人注目。上海光机所团队采用激光诱导放电等离子体LDP技术，绕过ASML的激光产生等离子体LPP路径。2025年第三季度，自产EUV机进入试生产，功率和效率指标已达国际水平。这一创新降低了对进口零件的依赖，预计5年内形成完整体系。LDP方案的简易性，让中国在专利壁垒中找到突破口。 产业链国产化是支撑这些成就的关键。从光源到镜头，多个环节实现自给。科益虹源掌握193纳米激光系统，福晶科技生产高精度晶体，北京燕东微电子采购国产设备超2亿元。这些努力让光刻机零部件本地化率从不足10%升至85%。上游材料如光学玻璃，也由本土企业供应，避免了供应链断裂风险。 市场应用端，国产封装光刻机份额占全球80%，迫使海外厂商降价竞争。中芯国际生产线已导入200台国产设备，华为芯片拆解显示本土工艺痕迹。华虹宏力等厂启动28纳米验证，产量回升明显。这不仅稳固了国内供给，还为下游手机、汽车芯片注入活力。 长远看，中国开辟光子芯片和二维晶体管新赛道。清华和中科院团队提升传输速度千倍，华为技术性能超3纳米硅40%。这些探索跳出传统光刻框架，预示着多元化路径。全球仅中国持续投入EUV，其他国家转向应用，中国从追赶者转为并跑者。
